射頻功率放大器電路，用于根據(jù)微控制器的控制，對射頻收發(fā)器的輸出信號進行放大或衰減；天線，用于發(fā)射射頻功率放大器電路的輸出信號。由于終端(如水電表)分布范圍廣，每個終端距離基站的距離各不相同，距離基站遠的終端，其信道衰減量大，因此需要射頻功率放大器電路的輸出功率大；而距離基站近的終端，其信道衰減量小，因此需要射頻功率放大器電路的輸出功率小。微控制器通過控制射頻功率放大器電路的輸入功率和增益，從而控制其輸出功率，使其輸出功率滿足要求。例如，基站使用預先確定的通信資源發(fā)送同步信號(synchronizationchannel，sch)和廣播信號(broadcastchannel，bch)。然后，終端首先捕捉sch，從而確保與基站之間的同步。然后，終端通過讀取bch而獲取基站特定的參數(shù)(如頻率、帶寬等)。終端在獲取到基站特定的參數(shù)之后，通過對基站進行連接請求，建立與基站的通信?；靖鶕?jù)需要對建立了通信的終端通過物理下行控制信道(physicaldownlinkcontrolchannel，pdcch)等控制信道發(fā)送控制信息。終端中的微控制器通過通信模組接收到控制信息后，控制輸出功率，使其滿足要求?；驹谂c終端的通信過程中，根據(jù)路徑損耗(pathloss，pl)確定鏈路預算(linkbudget，lb)。根據(jù)晶體管的增益斜率和放大器增益要求，確定待綜合匹配網(wǎng)絡的衰減斜 率、波紋、帶寬，并導出其衰減函數(shù)。天津大功率射頻功率放大器電話多少

    功率放大器通過匹配網(wǎng)絡連接射頻輸出端rfout。自適應動態(tài)偏置電路的輸入端連接射頻輸入端rfin，自適應動態(tài)偏置電路的輸出端連接功率放大器中的共源共柵放大器。其中，自適應動態(tài)偏置電路至少由若干nmos管、若干pmos管、若干電容和電阻組成?？蛇x的，自適應動態(tài)偏置電路的輸入端通過匹配網(wǎng)絡連接射頻輸入端。自適應動態(tài)偏置電路的輸出端連接功率放大器源放大器的柵極和共柵放大器的柵極。通過自適應動態(tài)偏置電路動態(tài)調(diào)整功率放大器源共柵放大器的柵極偏置電壓，提高了射頻功率放大器的線性度。圖2示出了本申請一實施例提供的自適應動態(tài)偏置電路的電路原理圖。如圖2所示，在自適應動態(tài)偏置電路中，nmos管mn17的柵極為自適應動態(tài)偏置電路的輸入端rfin_h。nmos管mn17的漏極連接pmos管mp04的源極。nmos管mn17的漏極和pmos管mp04之間hia連接有并聯(lián)的電容c17和電阻r12。nmos管mn17的漏極接電源電壓vdd，pmos管mp04的源極接電源電壓vdd。nmos管mn17的源極接地，pmos管mp04的漏極通過并聯(lián)的電容c18和電阻r16接地。第二nmos管mn18的漏極與第二pmos管mp01的漏極連接。第二nmos管mn18的源極接地。具體地，第二nmos管mn18的源極通過電阻r14接地。第二pmos管mp01的源極接電源電壓vdd。湖南V段射頻功率放大器值得推薦由于進行大功率放大設計，電路必然產(chǎn)生許多諧波，匹配電路還需要有濾 波功能。

    自適應動態(tài)偏置電路的輸入端通過匹配網(wǎng)絡連接射頻輸入端；自適應動態(tài)偏置電路的輸出端連接功率放大器源放大器的柵極和共柵放大器的柵極?？蛇x的，在自適應動態(tài)偏置電路中，nmos管的柵極為自適應動態(tài)偏置電路的輸入端，nmos管的漏極連接pmos管的源極，nmos管的源極接地；第二nmos管的漏極與第二pmos管的漏極連接，第二nmos管的源極接地，第二pmos管的源極接電源電壓，第二nmos管的柵極與第二pmos管的柵極連接后與nmos管的漏極連接；第三nmos管的漏極與第三pmos管的漏極連接，第三nmos管的源極接地，第三pmos管的源極接電源電壓，第三nmos管的柵極與漏極連接，第三pmos管的柵極和漏極連接；第二nmos管的漏極與第二pmos管的漏極的公共端記為連接點，第三nmos管的漏極與第三pmos管的漏極的公共端記為第二連接點，連接點與第二連接點連接，第二連接點通過電阻接自適應動態(tài)偏置電路的輸出端，輸出端用于為功率放大器源放大器的柵極提供偏置電壓；第四nmos管的漏極與第四pmos管的漏極連接后與pmos管的柵極連接，第四nmos管的源極接地，第四pmos管的源極接電源電壓，第四nmos管的柵極和第四pmos管的柵極連接后與nmos管的漏極連接。

    圖1：某型號60WGaAsFET的內(nèi)部結(jié)構(gòu)這款晶體管放大器可以提供EMC領域的基礎標準IEC61000-4-3和IEC61000-4-6所強調(diào)的很好的線性度，如圖2所示。圖2：某晶體管的輸入輸出線性度這個晶體管可以在工作頻率范圍內(nèi)提供所需的功率，它的輸出功率與頻率的關系如圖3所示。圖3：某晶體管的輸出功率與頻率的關系3.射頻微波功率晶體管采用的半導體材料的類型在用于EMC領域的功率放大器中會用到不同種類的晶體管，下面對典型的晶體管及其工作特性進行簡單介紹，由于不同種類的半導體材料具有不同的特性，功率放大器的設計者需要根據(jù)實際需求進行選擇和設計。在射頻微波功率放大器中采用的半導體材料主要包括以下幾種。雙極結(jié)型晶體管（BJT）雙極性結(jié)型晶體管（bipolarjunctiontransistor,BJT）就是我們通常說的三極管，是一種具有三個端子的電子器件，由三部分摻雜程度不同的半導體制成，晶體管中的電荷流動主要是由于載流子在PN結(jié)處的擴散作用和漂移運動。這種晶體管的工作，同時涉及電子和空穴兩種載流子的流動，因此它被稱為雙極性的，所以也稱雙極性載流子晶體管。常見的有鍺晶體管和硅晶體管，可采用電流控制，在一定范圍內(nèi)，雙極性晶體管具有近似線性的特征。射頻功率放大器地用于多種有線和無線應用中，包括 CATV，ISM，WLL，PCS，GSM，CDMA 和 WCDMA 等各種頻段。

    AB類放大器可以確保其諧波/失真性能足夠滿足EMC領域的需求，也就是它的線性度能滿足商業(yè)電磁兼容測試標準IEC61000-4-3和IEC61000-4-6的需求。AB類放大器為了線性度與B類放大器相比了一點效率，但相比A類放大器則具有高效率（理論上可達60%到65%）。AB類放大器的優(yōu)點：與A類放大器相比，功率效率提高。AB類放大器的設計可以使用比A類更少的器件，對于相同的功率等級和頻率范圍，體積更小，價格更便宜。使用風冷，比A類放大器的冷卻器要輕。AB類放大器的缺點：產(chǎn)生的諧波需要注意具體產(chǎn)品給出的指標，尤其是二次諧波，AB類放大器可以通過仔細調(diào)整偏置的設置和采用推挽拓補結(jié)構(gòu)將諧波明顯抑制。C類放大器C類放大器的晶體管偏置設置使得器件在小于輸入信號的半個周期內(nèi)導通，在沒有輸入信號時不消耗電源電流，因此效率很高，可高達90%左右。C類放大器在通常的商業(yè)EMC測試中很少使用，因為它們不能對連續(xù)波進行放大。它們在窄帶、脈沖應用中得到了應用，比如汽車電子ISO11452-2中的雷達波測試，DO-160以及MIL-464中的HIRF高脈沖場強測試等。C類放大器的工作原理圖如圖6所示。圖6：C類放大器的工作原理圖C類放大器相當于工作在飽和狀態(tài)而不是線性區(qū)，也就是輸入如果是正弦信號。在射頻／微波 IC中一般用方形螺旋電感。浙江高科技射頻功率放大器設計

微波固態(tài)功率放大器通常安裝在一個腔體內(nèi)，由于頻率高，往往容易產(chǎn)生寄 生藕合與干擾。天津大功率射頻功率放大器電話多少

    通過微處理器發(fā)出的第五控制信號和第六控制信號，控制電壓源檔位的切換，可切換第三mos管的柵極電壓，從而調(diào)節(jié)驅(qū)動放大電路的放大倍數(shù)。通過調(diào)節(jié)驅(qū)動放大電路的放大倍數(shù)使射頻功率放大器電路處于不同的增益模式中。第二電壓信號vcc用于給第二mos管和第三mos管的漏級供電，其中，通過微處理器控制vcc的大小。在一些實施例中，當?shù)诙os管和第三mos管的溝道寬度為2mm時，微控制器控制vcc為，控制電流源為12ma，控制電壓源為，使射頻功率放大器電路實現(xiàn)非負增益模式；微控制器控制vcc為，控制電流源為2ma，控制電壓源為，使射頻功率放大器電路實現(xiàn)負增益模式。顯然，可以設置更多的電壓源的檔位和電流源的檔位，通過切換不同的電壓源檔位、電流源檔位，并對第二mos管和第三mos管的漏級的供電電壓vcc進行控制，從而實現(xiàn)增益的線性調(diào)節(jié)。需要說明的是，第二偏置電路與偏置電路結(jié)構(gòu)相同，其調(diào)節(jié)方法也與偏置電路相同，當?shù)谒膍os管和第五mos管的溝道寬度為5mm時，微控制器控制第四mos管對應的電流源為45ma，控制第五mos管對應的電壓源為，使射頻功率放大器電路實現(xiàn)非負增益模式；微控制器控制第四mos管對應的電流為6ma，控制第五mos管對應的電壓源為。天津大功率射頻功率放大器電話多少

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