新型跟.蹤式可控硅直流穩(wěn)壓電源信息時(shí)代里，BP機(jī)已成為常用的通信工具。目前，我國(guó)BP機(jī)總臺(tái)的發(fā)射設(shè)備都采用進(jìn)口設(shè)備，其輸出電壓為13．8V，電流為15～20A。進(jìn)口電源不帶可控硅部分，而我國(guó)電網(wǎng)波動(dòng)較大，為此設(shè)計(jì)了這種低成本穩(wěn)壓電源。該設(shè)計(jì)在串聯(lián)反饋調(diào)整型穩(wěn)壓電源的基礎(chǔ)上加裝了可控硅相位控制裝置，用調(diào)整管兩端壓降來(lái)控制可控硅觸發(fā)的導(dǎo)通角，維持調(diào)整管壓降不變，從而設(shè)計(jì)出跟.蹤式大功率直流穩(wěn)壓電源。該穩(wěn)壓電源限制了調(diào)整管功耗，實(shí)現(xiàn)了大功率。該穩(wěn)壓電源主要由單相半控橋整流濾波、線性穩(wěn)壓器及可控硅相位控制等環(huán)節(jié)組成，并加裝了過(guò)流保護(hù)、短路保護(hù)、過(guò)熱保護(hù)裝置及顯示部分。在220V電網(wǎng)電壓波動(dòng)±15％情況下，輸出電壓13．8V，輸出電流可達(dá)20A。由于采用了可控硅相位控制技術(shù)，能將調(diào)整管兩端壓降限制在3V左右，功耗不大于40W，提高了電源效率。當(dāng)輸出電流超過(guò)20A時(shí)，限流保護(hù)可減小輸出電流。若輸出短路，短路保護(hù)輸出***信號(hào)關(guān)斷可控硅。調(diào)整管溫度高于60℃時(shí)啟動(dòng)電扇，溫度低于40℃時(shí)關(guān)斷電扇，溫度高于80℃時(shí)關(guān)斷可控硅。該電源采用集成可控硅觸發(fā)器，雙運(yùn)算放大器及具有溫度補(bǔ)償?shù)姆€(wěn)壓管作基準(zhǔn)源，并配有三端穩(wěn)壓器作為輔助電源，實(shí)現(xiàn)了高精度。鹽浴爐、工頻感應(yīng)爐、淬火爐、熔融玻璃的溫度加熱控制。安徽可控硅廠家

    摘要：為了深入了解雙向可控硅內(nèi)部電路和工作原理，以運(yùn)用簡(jiǎn)便易懂的三極管為主，依據(jù)雙向可控硅內(nèi)部P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體的分布，設(shè)計(jì)一種可以被雙向觸發(fā)導(dǎo)通的電路。并從理論上來(lái)對(duì)其進(jìn)行論述，通過(guò)實(shí)際電路制作對(duì)其進(jìn)行了驗(yàn)證，在實(shí)際運(yùn)用方面達(dá)到與雙向可控硅具有同樣的效果。0引言雙向可控硅（TRIAC）在控制交流電源控制領(lǐng)域的運(yùn)用非常***，如我們的日光燈調(diào)光電路、交流電機(jī)轉(zhuǎn)速控制電路等都主要是利用雙向可控硅可以雙向觸發(fā)導(dǎo)通的特點(diǎn)來(lái)控制交流供電電源的導(dǎo)通相位角，從而達(dá)到控制供電電流的大小[1]。然而對(duì)其工作原理和結(jié)構(gòu)的描述，以我們可以查悉的資料都只是很淺顯地提及，大部分都是對(duì)它的外圍電路的應(yīng)用和工作方式、參數(shù)的選擇等等做了比較多的描述，更進(jìn)一步的--哪怕是內(nèi)部方框電路--內(nèi)容也很難找到。由于可控硅所有的電子部件是集成在同一硅源之上，我們根本是不可能通過(guò)采用類似機(jī)械的拆卸手段來(lái)觀察其內(nèi)部結(jié)構(gòu)。為了深入了解和運(yùn)用可控硅，依據(jù)現(xiàn)有可查資料所給P型和N型半導(dǎo)體的分布圖，采用分離元器件--三極管、電阻和電容--來(lái)設(shè)計(jì)一款電路，使該電路在PN的連接、分布和履行的功能上完全與雙向可控硅類似。安徽封裝可控硅電壓、電流、功率、燈光(高壓鈉燈控制必須用穩(wěn)壓功能配套PID控制板)等無(wú)級(jí)平滑調(diào)節(jié)。

    焊接場(chǎng)效應(yīng)管是比較方便的，并且確保安全；在未關(guān)斷電源時(shí)，***不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)必須注意。（5）在安裝場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件；為了防管件振動(dòng)，有必要將管殼體緊固起來(lái)；管腳引線在彎曲時(shí)，應(yīng)當(dāng)大于根部尺寸５毫米處進(jìn)行，以防止彎斷管腳和引起漏氣等。對(duì)于功率型場(chǎng)效應(yīng)管，要有良好的散熱條件。因?yàn)楣β市蛨?chǎng)效應(yīng)管在高負(fù)荷條件下運(yùn)用，必須設(shè)計(jì)足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過(guò)額定值，使器件長(zhǎng)期穩(wěn)定可靠地工作?？傊?，確保場(chǎng)效應(yīng)管安全使用，要注意的事項(xiàng)是多種多樣，采取的安全措施也是各種各樣，廣大的專業(yè)技術(shù)人員，特別是廣大的電子愛(ài)好者，都要根據(jù)自己的實(shí)際情況出發(fā)，采取切實(shí)可行的辦法，安全有效地用好場(chǎng)效應(yīng)管。三.VMOS場(chǎng)效應(yīng)管VMOS場(chǎng)效應(yīng)管（VMOSFET）簡(jiǎn)稱VMOS管或功率場(chǎng)效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來(lái)的高.效、功率開(kāi)關(guān)器件。它不僅繼承了MOS場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗高（≥108W）、驅(qū)動(dòng)電流?。é藺左右），還具有耐壓高（比較高1200V）、工作電流大（～100A）、輸出功率高（1～250W）、跨導(dǎo)的線性好、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)良特性。

    說(shuō)明被測(cè)雙向可控硅未損壞且三個(gè)引腳極性判斷正確。檢測(cè)較大功率可控硅時(shí)，需要在萬(wàn)用表黑筆中串接一節(jié)干電池，以提高觸發(fā)電壓。晶閘管(可控硅)的管腳判別晶閘管管腳的判別可用下述方法：先用萬(wàn)用表R*1K擋測(cè)量三腳之間的阻值，阻值小的兩腳分別為控制極和陰極，所剩的一腳為陽(yáng)極。再將萬(wàn)用表置于R*10K擋，用手指捏住陽(yáng)極和另一腳，且不讓兩腳接觸，黑表筆接陽(yáng)極，紅表筆接剩下的一腳，如表針向右擺動(dòng)，說(shuō)明紅表筆所接為陰極，不擺動(dòng)則為控制極。各種晶閘管(可控硅)的檢測(cè)方法1．單向晶閘管的檢測(cè)(1)判別各電極：根據(jù)普通晶閘管的結(jié)構(gòu)可知，其門極G與陰極K極之間為一個(gè)PN結(jié)，具有單向?qū)щ娞匦?，而?yáng)極A與門極之間有兩個(gè)反極性串聯(lián)的PN結(jié)。因此，通過(guò)用萬(wàn)用表的R×100或R×1kQ檔測(cè)量普通晶閘管各引腳之間的電阻值，即能確定三個(gè)電極。具體方法是：將萬(wàn)用表黑表筆任接晶閘管某一極，紅表筆依次去觸碰另外兩個(gè)電極。若測(cè)量結(jié)果有一次阻值為幾千歐姆(kΩ)，而另一次阻值為幾百歐姆(Ω)，則可判定黑表筆接的是門極G。在阻值為幾百歐姆的測(cè)量中，紅表筆接的是陰極K，而在阻值為幾千歐姆的那次測(cè)量中，紅表筆接的是陽(yáng)極A，若兩次測(cè)出的阻值均很大，則說(shuō)明黑表筆接的不是門極G。整流器是把交流電轉(zhuǎn)換成直流電的裝置，可用于供電裝置及偵測(cè)無(wú)線電信號(hào)等。

工作原理

本控制器輸出觸發(fā)脈沖必須同時(shí)具備兩個(gè)條件，分別是：控制輸入有效和可控硅兩端電壓為零，兩個(gè)條件缺其中任何一個(gè)都不能輸出觸發(fā)脈沖。控制信號(hào)有效的較早周波檢測(cè)過(guò)零，過(guò)零條件滿足即輸出觸發(fā)脈沖，在以后的控制信號(hào)有效的時(shí)間段內(nèi)持續(xù)輸出觸發(fā)脈沖。

性能特點(diǎn)

高可靠的可控硅電壓過(guò)零觸發(fā)，三相**控制，脈沖隔離輸出，安全可靠。

有自同步功能，免去傳統(tǒng)可控硅電路認(rèn)定同步和相序的麻煩，使用與調(diào)試方便。

適用于阻性負(fù)載、感性負(fù)載、容性負(fù)載等類型。

一體化結(jié)構(gòu)，接線簡(jiǎn)單，互換性好。

驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)，每路可以輸出600毫安的電流，6V觸發(fā)電壓,可以驅(qū)動(dòng)4000A可控硅。

工作可靠,有非常強(qiáng)的抗干擾能力，適用性強(qiáng)，耐壓高。

可控硅觸發(fā)板用于單相、三相電焊機(jī)控制、電解電鍍控制等。安徽封裝可控硅

一臺(tái)儀表可以同時(shí)控制多臺(tái)觸發(fā)板。安徽可控硅廠家

    從而通過(guò)該電路來(lái)達(dá)到深入解析可控硅和設(shè)計(jì)實(shí)際運(yùn)用電路的目的。1雙向可控硅工作原理與特點(diǎn)從理論上來(lái)講，雙向可控硅可以說(shuō)是有兩個(gè)反向并列的單向可控硅組成，理解單向可控硅的工作原理是理解雙向可控硅工作原理的基礎(chǔ)[2-5]。單向可控硅也叫晶閘管，其組成結(jié)構(gòu)圖如圖1-a所示，可以分割成四個(gè)硅區(qū)P、N、P、N和A、K、G三個(gè)接線極。把圖一按圖1-b所示切成兩半，就很容易理解成如圖1-c所示由一個(gè)PNP三極管和一個(gè)NPN三極管為主組成一個(gè)單向可控硅管。在圖1-c的基礎(chǔ)上接通電源控制電路如圖2所示，當(dāng)陽(yáng)極-陰極（A-K）接上正向電壓V后，只要柵極G接通觸發(fā)電源Vg，三極管Q2就會(huì)正向?qū)?，開(kāi)通瞬間Q1只是類似于接在Q1集電極的一個(gè)負(fù)載與電源正極接通，隨后Q1也在Q2的拉電流下導(dǎo)通，此時(shí)由于C被充電，即便斷開(kāi)G極的觸發(fā)電源Vg，Q1和Q2在相互作用下仍能維持導(dǎo)通狀態(tài)，只有當(dāng)電源電壓V變得相當(dāng)小之后Q1和Q2才會(huì)再次截止。相比于單向可控硅，雙向可控硅在原理上比較大的區(qū)別就是能雙向?qū)?，不再有?yáng)極陰極之分，取而代之以T1和T2，其結(jié)構(gòu)示意圖如圖3-a所示，如果不考慮G級(jí)的不同，把它分割成圖3-b所示，可以看出相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向并聯(lián)而成[1-2]，如圖3-c所示連接。安徽可控硅廠家

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