1．判定柵極G將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1k檔分別測(cè)量三個(gè)管腳之間的電阻。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無(wú)窮大，并且交換表筆后仍為無(wú)窮大，則證明此腳為G極，因?yàn)樗土硗鈨蓚€(gè)管腳是絕緣的。2．判定源極S、漏極D由圖1可見(jiàn)，在源-漏之間有一個(gè)PN結(jié)，因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異，可識(shí)別S極與D極。用交換表筆法測(cè)兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時(shí)黑表筆的是S極，紅表筆接D極。3．測(cè)量漏-源通態(tài)電阻RDS（on）將G-S極短路，選擇萬(wàn)用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐。由于測(cè)試條件不同，測(cè)出的RDS（on）值比手冊(cè)中給出的典型值要高一些。例如用500型萬(wàn)用表R×1檔實(shí)測(cè)一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=，大于（典型值）。4．檢查跨導(dǎo)將萬(wàn)用表置于R×1k（或R×100）檔，紅表筆接S極，黑表筆接D極，手持螺絲刀去碰觸柵極，表針應(yīng)有明顯偏轉(zhuǎn)，偏轉(zhuǎn)愈大，管子的跨導(dǎo)愈高。注意事項(xiàng)：（1）VMOS管亦分N溝道管與P溝道管，但絕大多數(shù)產(chǎn)品屬于N溝道管。對(duì)于P溝道管，測(cè)量時(shí)應(yīng)交換表筆的位置。（2）有少數(shù)VMOS管在G-S之間并有保護(hù)二極管，本檢測(cè)方法中的1、2項(xiàng)不再適用。（3）目前市場(chǎng)上還有一種VMOS管功率模塊。調(diào)整器主電路和控制電路一體化結(jié)構(gòu)，體積小，重量輕，使用、維護(hù)十分方便。調(diào)壓可控硅價(jià)位

    其G、K極問(wèn)PN結(jié)已失去單向?qū)щ娮饔?。測(cè)量陽(yáng)極A與門(mén)極G之間的正、反向電阻，正常時(shí)兩個(gè)阻值均應(yīng)為幾百千歐姆(kΩ)或無(wú)窮大，若出現(xiàn)正、反向電阻值不一樣(有類似二極管的單向?qū)щ?。則是G、A極之間反向串聯(lián)的兩個(gè)PN結(jié)中的一個(gè)已擊穿短路。(3)觸發(fā)能力檢測(cè)：對(duì)于小功率(工作電流為5A以下)的普通晶閘管，可用萬(wàn)用表R×1檔測(cè)量。測(cè)量時(shí)黑表筆接陽(yáng)極A，紅表筆接陰極K，此時(shí)表針不動(dòng)，顯示阻值為無(wú)窮大(∞)。用鑷子或?qū)Ь€將晶閘管的陽(yáng)極A與門(mén)極短路(見(jiàn)圖2)，相當(dāng)于給G極加上正向觸發(fā)電壓，此時(shí)若電阻值為幾歐姆至幾十歐姆(具體阻值根據(jù)晶閘管的型號(hào)不同會(huì)有所差異)，則表明晶閘管因正向觸發(fā)而導(dǎo)通。再斷開(kāi)A極與G極的連接(A、K極上的表筆不動(dòng)，只將G極的觸發(fā)電壓斷掉)。若表針示值仍保持在幾歐姆至幾十歐姆的位置不動(dòng)，則說(shuō)明此晶閘管的觸發(fā)性能良好。對(duì)于工作電流在5A以上的中、大功率普通晶閘管，因其通態(tài)壓降VT維持電流IH及門(mén)極觸發(fā)電壓Vo均相對(duì)較大，萬(wàn)用表R×1kΩ檔所提供的電流偏低，晶閘管不能完全導(dǎo)通，故檢測(cè)時(shí)可在黑表筆端串接一只200Ω可調(diào)電阻和1～3節(jié)1．5V干電池(視被測(cè)晶閘管的容量而定，其工作電流大于100A的，應(yīng)用3節(jié)1．5V干電池)，如圖3所示。封裝可控硅經(jīng)銷批發(fā)因?yàn)橘A存時(shí)間ts過(guò)長(zhǎng)，電路的振蕩頻率將下降，整機(jī)的工作電流增大易導(dǎo)致三極管的損壞。

    摘要：為了深入了解雙向可控硅內(nèi)部電路和工作原理，以運(yùn)用簡(jiǎn)便易懂的三極管為主，依據(jù)雙向可控硅內(nèi)部P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體的分布，設(shè)計(jì)一種可以被雙向觸發(fā)導(dǎo)通的電路。并從理論上來(lái)對(duì)其進(jìn)行論述，通過(guò)實(shí)際電路制作對(duì)其進(jìn)行了驗(yàn)證，在實(shí)際運(yùn)用方面達(dá)到與雙向可控硅具有同樣的效果。0引言雙向可控硅（TRIAC）在控制交流電源控制領(lǐng)域的運(yùn)用非常***，如我們的日光燈調(diào)光電路、交流電機(jī)轉(zhuǎn)速控制電路等都主要是利用雙向可控硅可以雙向觸發(fā)導(dǎo)通的特點(diǎn)來(lái)控制交流供電電源的導(dǎo)通相位角，從而達(dá)到控制供電電流的大小[1]。然而對(duì)其工作原理和結(jié)構(gòu)的描述，以我們可以查悉的資料都只是很淺顯地提及，大部分都是對(duì)它的外圍電路的應(yīng)用和工作方式、參數(shù)的選擇等等做了比較多的描述，更進(jìn)一步的--哪怕是內(nèi)部方框電路--內(nèi)容也很難找到。由于可控硅所有的電子部件是集成在同一硅源之上，我們根本是不可能通過(guò)采用類似機(jī)械的拆卸手段來(lái)觀察其內(nèi)部結(jié)構(gòu)。為了深入了解和運(yùn)用可控硅，依據(jù)現(xiàn)有可查資料所給P型和N型半導(dǎo)體的分布圖，采用分離元器件--三極管、電阻和電容--來(lái)設(shè)計(jì)一款電路，使該電路在PN的連接、分布和履行的功能上完全與雙向可控硅類似。

    焊接場(chǎng)效應(yīng)管是比較方便的，并且確保安全；在未關(guān)斷電源時(shí)，***不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)必須注意。（5）在安裝場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件；為了防管件振動(dòng)，有必要將管殼體緊固起來(lái)；管腳引線在彎曲時(shí)，應(yīng)當(dāng)大于根部尺寸５毫米處進(jìn)行，以防止彎斷管腳和引起漏氣等。對(duì)于功率型場(chǎng)效應(yīng)管，要有良好的散熱條件。因?yàn)楣β市蛨?chǎng)效應(yīng)管在高負(fù)荷條件下運(yùn)用，必須設(shè)計(jì)足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過(guò)額定值，使器件長(zhǎng)期穩(wěn)定可靠地工作?？傊?，確保場(chǎng)效應(yīng)管安全使用，要注意的事項(xiàng)是多種多樣，采取的安全措施也是各種各樣，廣大的專業(yè)技術(shù)人員，特別是廣大的電子愛(ài)好者，都要根據(jù)自己的實(shí)際情況出發(fā)，采取切實(shí)可行的辦法，安全有效地用好場(chǎng)效應(yīng)管。三.VMOS場(chǎng)效應(yīng)管VMOS場(chǎng)效應(yīng)管（VMOSFET）簡(jiǎn)稱VMOS管或功率場(chǎng)效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來(lái)的高.效、功率開(kāi)關(guān)器件。它不僅繼承了MOS場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗高（≥108W）、驅(qū)動(dòng)電流?。é藺左右），還具有耐壓高（比較高1200V）、工作電流大（～100A）、輸出功率高（1～250W）、跨導(dǎo)的線性好、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)良特性?？煽毓栌|發(fā)板是通過(guò)調(diào)整可控硅的導(dǎo)通角來(lái)實(shí)現(xiàn)電氣設(shè)備的電壓電流功率調(diào)整的一種移相型的電力控制器。

    若在晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通后斷開(kāi)G極，T2、T1極間不能維持低阻導(dǎo)通狀態(tài)而阻值變?yōu)闊o(wú)窮大，則說(shuō)明該雙向晶閘管性能不良或已經(jīng)損壞。若給G極加上正(或負(fù))極性觸發(fā)信號(hào)后，晶閘管仍不導(dǎo)通(T1與T2間的正、反向電阻值仍為無(wú)窮大)，則說(shuō)明該晶閘管已損壞，無(wú)觸發(fā)導(dǎo)通能力。對(duì)于工作電流在8A以上的中、大功率雙向晶閘管，在測(cè)量其觸發(fā)能力時(shí)，可先在萬(wàn)用表的某支表筆上串接1～3節(jié)1．5V干電池，然后再用R×1檔按上述方法測(cè)量。對(duì)于耐壓為400V以上的雙向晶閘管，也可以用220V交流電壓來(lái)測(cè)試其觸發(fā)能力及性能好壞。圖6是雙向晶閘管的測(cè)試電路。電路中，F(xiàn)L為60W／220V白熾燈泡，VT為被測(cè)雙向晶閘管，R為100Ω限流電阻，S為按鈕。將電源插頭接入市電后，雙向晶閘管處于截止?fàn)顟B(tài)，燈泡不亮(若此時(shí)燈泡正常發(fā)光，則說(shuō)明被測(cè)晶閘管的T1、T2極之間已擊穿短路；若燈泡微亮，則說(shuō)明被測(cè)晶閘管漏電損壞)。按動(dòng)一下按鈕S，為晶閘管的門(mén)極G提供觸發(fā)電壓信號(hào)，正常時(shí)晶閘管應(yīng)立即被觸發(fā)導(dǎo)通，燈泡正常發(fā)光。若燈泡不能發(fā)光，則說(shuō)明被測(cè)晶閘管內(nèi)部開(kāi)路損壞。若按動(dòng)按鈕s時(shí)燈泡點(diǎn)亮，松手后燈泡又熄滅，則表明被測(cè)晶閘管的觸發(fā)性能不良。觸發(fā)板應(yīng)用于工業(yè)各領(lǐng)域的電壓電流調(diào)節(jié)，用于電阻性負(fù)載、電感性負(fù)載、變壓器一次側(cè)及各種整流裝置等。封裝可控硅經(jīng)銷批發(fā)

通常把電流容量在1安以下的器件稱為整流二極管，1安以上的稱為整流器。調(diào)壓可控硅價(jià)位

    2具體電路實(shí)現(xiàn)電路結(jié)構(gòu)框圖如圖1所示。該電路選取單向橋式半控整流電路，降低了成本。大功率或大電流的穩(wěn)壓電源，一般采用L－C濾波電路。但是，大電流的濾波電抗器體積大，重量重，價(jià)格也較貴，因此，在該穩(wěn)壓電源的設(shè)計(jì)中仍采用大電容濾波。線性穩(wěn)壓器部分仍采用串聯(lián)反饋調(diào)整型穩(wěn)壓器原理，構(gòu)成一個(gè)閉環(huán)反饋系統(tǒng)。主要包括：調(diào)整管，取樣電路，基準(zhǔn)電壓源，誤差比較放大器。由于該穩(wěn)壓電源輸出電流20A，電流很大，所以，為減小調(diào)整管功耗，采用并聯(lián)形式，在本電源中，調(diào)整管用兩個(gè)大功率三極管并聯(lián)，使每管流過(guò)電流為10A左右。這樣，每個(gè)管子的功耗不大于40W，減小了調(diào)整管功耗。調(diào)整管集電極電流為10A左右，因此應(yīng)采用大功率晶體三極管，選取β＝40～50，這樣，基極電流應(yīng)達(dá)2×0．3A，即600mA。而一般集成運(yùn)算放大器輸出電流只有幾十毫安級(jí)，不能讓比較放大電路的輸出端直接來(lái)推動(dòng)調(diào)整管，因此在比較放大電路的輸出端與調(diào)整管的基極之間，加入推動(dòng)級(jí)，此處選擇一個(gè)小功率三極管，構(gòu)成復(fù)合管的形式。啟動(dòng)電阻Rc取2k。防振電容C取10μF。在穩(wěn)壓電路中，基準(zhǔn)源是整個(gè)穩(wěn)壓系統(tǒng)工作的參考，穩(wěn)壓的**終效果取決于基準(zhǔn)源的水平。因此，該電源中。調(diào)壓可控硅價(jià)位

上海凱月電子科技有限公司是一家從事電子科技領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)開(kāi)發(fā)，技術(shù)服務(wù)，技術(shù)咨詢，電子元器件，電子系統(tǒng)設(shè)備，計(jì)算機(jī)，軟件及輔助設(shè)備（除計(jì)算機(jī)信息系統(tǒng)安全**產(chǎn)品），電子元器件，可控硅半導(dǎo)體模塊，電子數(shù)碼產(chǎn)品，通信設(shè)備及相關(guān)產(chǎn)品，通訊器材銷售。的公司，是一家集研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售為一體的專業(yè)化公司。上海凱月電子科技作為從事電子科技領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)開(kāi)發(fā)，技術(shù)服務(wù)，技術(shù)咨詢，電子元器件，電子系統(tǒng)設(shè)備，計(jì)算機(jī)，軟件及輔助設(shè)備（除計(jì)算機(jī)信息系統(tǒng)安全**產(chǎn)品），電子元器件，可控硅半導(dǎo)體模塊，電子數(shù)碼產(chǎn)品，通信設(shè)備及相關(guān)產(chǎn)品，通訊器材銷售。的企業(yè)之一，為客戶提供良好的可控硅觸發(fā)板，電力調(diào)整器，SCR調(diào)功器，SCR整流器。上海凱月電子科技不斷開(kāi)拓創(chuàng)新，追求出色，以技術(shù)為先導(dǎo)，以產(chǎn)品為平臺(tái)，以應(yīng)用為重點(diǎn)，以服務(wù)為保證，不斷為客戶創(chuàng)造更高價(jià)值，提供更優(yōu)服務(wù)。上海凱月電子科技創(chuàng)始人李丹，始終關(guān)注客戶，創(chuàng)新科技，竭誠(chéng)為客戶提供良好的服務(wù)。