2具體電路實現(xiàn)電路結(jié)構(gòu)框圖如圖1所示。該電路選取單向橋式半控整流電路，降低了成本。大功率或大電流的穩(wěn)壓電源，一般采用L－C濾波電路。但是，大電流的濾波電抗器體積大，重量重，價格也較貴，因此，在該穩(wěn)壓電源的設(shè)計中仍采用大電容濾波。線性穩(wěn)壓器部分仍采用串聯(lián)反饋調(diào)整型穩(wěn)壓器原理，構(gòu)成一個閉環(huán)反饋系統(tǒng)。主要包括：調(diào)整管，取樣電路，基準電壓源，誤差比較放大器。由于該穩(wěn)壓電源輸出電流20A，電流很大，所以，為減小調(diào)整管功耗，采用并聯(lián)形式，在本電源中，調(diào)整管用兩個大功率三極管并聯(lián)，使每管流過電流為10A左右。這樣，每個管子的功耗不大于40W，減小了調(diào)整管功耗。調(diào)整管集電極電流為10A左右，因此應采用大功率晶體三極管，選取β＝40～50，這樣，基極電流應達2×0．3A，即600mA。而一般集成運算放大器輸出電流只有幾十毫安級，不能讓比較放大電路的輸出端直接來推動調(diào)整管，因此在比較放大電路的輸出端與調(diào)整管的基極之間，加入推動級，此處選擇一個小功率三極管，構(gòu)成復合管的形式。啟動電阻Rc取2k。防振電容C取10μF。在穩(wěn)壓電路中，基準源是整個穩(wěn)壓系統(tǒng)工作的參考，穩(wěn)壓的**終效果取決于基準源的水平。因此，該電源中。整流器的主要應用是把交流電源轉(zhuǎn)為直流電源。散熱可控硅總經(jīng)銷

    用短線瞬間短接陽極A和控制極G，此時萬用表電阻擋指針應向右偏轉(zhuǎn)，阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽極A接黑表筆，陰極K接紅表筆時，萬用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn)，說明該單向可控硅已擊穿損壞。雙向可控硅的檢測。用萬用表電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻，結(jié)果其中兩組讀數(shù)為無窮大。若一組為數(shù)十歐姆時，該組紅、黑表所接的兩引腳為***陽極A1和控制極G，另一空腳即為第二陽極A2。確定A1、G極后，再仔細測量A1、G極間正、反向電阻，讀數(shù)相對較小的那次測量的黑表筆所接的引腳為***陽極A1，紅表筆所接引腳為控制極G。將黑表筆接已確定的第二陽極A2，紅表筆接***陽極A1，此時萬用表指針不應發(fā)生偏轉(zhuǎn)，阻值為無窮大。再用短接線將A2、G極瞬間短接，給G極加上正向觸發(fā)電壓，A2、A1間阻值約10歐姆左右。隨后斷開A2、G間短接線，萬用表讀數(shù)應保持10歐姆左右?；Q紅、黑表筆接線，紅表筆接第二陽極A2，黑表筆接***陽極A1。同樣萬用表指針應不發(fā)生偏轉(zhuǎn)，阻值為無窮大。用短接線將A2、G極間再次瞬間短接，給G極加上負的觸發(fā)電壓，A1、A2間的阻值也是10歐姆左右。隨后斷開A2、G極間短接線，萬用表讀數(shù)應不變，保持在10歐姆左右。符合以上規(guī)律。蘇州可控硅定制 可控硅調(diào)整器具有軟啟動功能，減少對電網(wǎng)的沖擊干擾，使主電路更加安全可靠。

    焊接場效應管是比較方便的，并且確保安全；在未關(guān)斷電源時，***不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用場效應管時必須注意。（5）在安裝場效應管時，注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件；為了防管件振動，有必要將管殼體緊固起來；管腳引線在彎曲時，應當大于根部尺寸５毫米處進行，以防止彎斷管腳和引起漏氣等。對于功率型場效應管，要有良好的散熱條件。因為功率型場效應管在高負荷條件下運用，必須設(shè)計足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過額定值，使器件長期穩(wěn)定可靠地工作?？傊?，確保場效應管安全使用，要注意的事項是多種多樣，采取的安全措施也是各種各樣，廣大的專業(yè)技術(shù)人員，特別是廣大的電子愛好者，都要根據(jù)自己的實際情況出發(fā)，采取切實可行的辦法，安全有效地用好場效應管。三.VMOS場效應管VMOS場效應管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應管，其全稱為V型槽MOS場效應管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高.效、功率開關(guān)器件。它不僅繼承了MOS場效應管輸入阻抗高（≥108W）、驅(qū)動電流小（μA左右），還具有耐壓高（比較高1200V）、工作電流大（～100A）、輸出功率高（1～250W）、跨導的線性好、開關(guān)速度快等優(yōu)良特性。

KY3型電力調(diào)整器采用了新設(shè)計的KY3-T6S控制板。KY3-T6S控制板是運用數(shù)字電路觸發(fā)可控硅實現(xiàn)調(diào)壓和調(diào)功。調(diào)壓采用移相控制方式，調(diào)功有定周期調(diào)功和變周期調(diào)功兩種方式。該控制板帶有控制信號自由輸入、同步電路、自動判別相位、缺相保護、上電緩起動、緩關(guān)斷、散熱器超溫檢測、恒流恒壓輸出、電流限制、短路保護、過流保護、負載斷線檢測、LED數(shù)碼管顯示、MODBUS通訊（硬件接口是RS485）、PROFIBUS通訊、以太網(wǎng)CAN通訊等功能。

該電力調(diào)整器可與帶0~5V、0~10V或4~20mA等的智能PID調(diào)節(jié)器或PLC配套使用，也可**使用手動功能。KY3-T6S電力調(diào)整器的負載類型可以是三相阻性負載、感性負載及變壓器負載；負載方式可以是星形中心接地負載、星形中心不接地負載、三角形負載。KY3可廣泛應用于工業(yè)電爐的加熱控制、冶金、化工、紡織機械、電解電鍍等領(lǐng)域。 可控硅觸發(fā)板現(xiàn)場調(diào)試一般不需要示波器即可完成。

    當T1與T2之間接通電源后，給G極正向觸發(fā)信號（相對于T1、T2所接電源負極而言），其工作原理如前面單向可控硅完全相同。當G極接負觸發(fā)信號時，其工作過原理如圖4所示，此時Q3的基極B和發(fā)射極E處于正偏電壓而致使Q3導通，繼而Q1導通給電容C充電后致Q2導通并保持導通狀態(tài)。雙向可控硅的英文簡稱TRIC是英文TriadACsemiconductorswitch的縮寫，其意思是三端交流半導體開關(guān)，目前主要用于對交流電源的控制，主要特點表現(xiàn)在能在四個象限來使可控硅觸發(fā)導通和保持導通，直到所接電源撤出或反向[6][7]。***象限是T2接電源V的正極T1接電源V的負極，G觸發(fā)信號Vg的正。第二象限是T2接電源V的正極T1接電源V的負極，G觸發(fā)信號Vg的負。第三、四象限是T1接電源V的正極T2接電源V的負極，G觸發(fā)信號分別接Vg的正、負極。2類雙向可控硅電路設(shè)計在理解了前面所述雙向可控硅的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理之后，依據(jù)其內(nèi)部結(jié)構(gòu)采用我們熟悉的晶體管來設(shè)計一種類似有雙向可控硅工作的雙向可觸發(fā)電路。如圖5所示，電路采用用7個三極管和幾個電阻組成。把圖5電路中PN結(jié)的結(jié)構(gòu)按圖6所示結(jié)構(gòu)圖描出，與圖3-a、b比較很是相似。在圖5所示電路中，內(nèi)部電流在外界所接電源的極性不同而有兩種流向。可控硅調(diào)整器采用移相式觸發(fā)方式、適用于阻性負載、感性負載、變壓器一次側(cè)等各種負載類型。散熱可控硅總經(jīng)銷

可控硅觸發(fā)板用于同步機勵磁控制、汽輪發(fā)電機機勵磁控制等。散熱可控硅總經(jīng)銷

    **交流電機調(diào)速器、逆變器使用。例如美國IR公司生產(chǎn)的IRFT001型模塊，內(nèi)部有N溝道、P溝道管各三只，構(gòu)成三相橋式結(jié)構(gòu)。（4）現(xiàn)在市售VNF系列（N溝道）產(chǎn)品，是美國Supertex公司生產(chǎn)的超高頻功率場效應管，其比較高工作頻率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信號低頻跨導gm=2000μS。適用于高速開關(guān)電路和廣播、通信設(shè)備中。（5）使用VMOS管時必須加合適的散熱器后。以VNF306為例，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后，比較大功率才能達到30W。（6）多管并聯(lián)后，由于極間電容和分布電容相應增加，使放大器的高頻特性變壞，通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩。為此，并聯(lián)復合管管子一般不超過4個，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻。單向可控硅、雙向可控硅檢測可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有***陽極A1（T1），第二陽極A2（T2）、控制極G三個引出腳。只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時，方可被觸發(fā)導通。此時A、K間呈低阻導通狀態(tài)，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓。散熱可控硅總經(jīng)銷

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