人就會發(fā)生危險...發(fā)表于2018-03-2909:24?151次閱讀怎么用labview讀取IT8813電壓和電流發(fā)表于2018-03-2717:06?178次閱讀高低電平隨機數(shù)控制電壓選擇模塊發(fā)表于2018-03-2713:22?162次閱讀matlab模擬的時候怎樣才能讓電壓緩慢關斷？發(fā)表于2018-03-2712:18?195次閱讀回收WT333功率計發(fā)表于2018-03-2710:57?46次閱讀回收WT332功率計發(fā)表于2018-03-2710:43?27次閱讀二手WT2030功率分析儀發(fā)表于2018-03-2710:27?47次閱讀本人電源方面的新手，有一道題困惑了好幾天，求解答。。發(fā)表于2018-03-2709:50?342次閱讀回收NRP2功率計發(fā)表于2018-03-2709:32?36次閱讀數(shù)碼管顯示電壓電路圖大全（六款數(shù)碼管顯示電壓電路...本文主要介紹了數(shù)碼管顯示電壓電路圖大全（六款數(shù)碼管顯示電壓電路原理圖詳解）。測得的電壓轉換成數(shù)字相當...發(fā)表于2018-03-2613:53?302次閱讀回收安捷倫U8487A功率傳感器發(fā)表于2018-03-2610:31?88次閱讀回收安捷倫U8488A功率傳感器發(fā)表于2018-03-2610:30?106次閱讀何為有效值？何為均方根？從定義出發(fā)計算有效值，即，交流電與直流電分別通過同一電阻，若兩者在相同的時間內所消耗的電能相等。IGBT模塊采用預涂熱界面材料（TIM），能讓電力電子應用實現(xiàn)一致性的散熱性能。河北模塊歡迎選購

    是否受熱損壞。（如果損壞已變形或燒熔）6．檢測芯片8316是否擊穿：測量方法：用萬用表測量8316引腳，要求1和2；1和4；7和2；7和4之間不能短路。7．IGBT處熱敏開關絕緣保護是否損壞。按鍵動作不良的檢測測量CPU口線是否擊穿：二、按鍵動作不良用萬用表二極管檔測量CPU極與接地端，均有，萬用表紅筆接“地”；黑筆接“CPU每一極口線”。否則，說明CPU口線擊穿。三、功率不能達到到要求1．線圈盤短路：測試線圈盤的電感量：PSD系數(shù)為L=157±5μH，PD系列為L=140±5μH。2．鍋具與線圈盤距離是否正常。3．鍋具是否是指定的鍋具。四、檢查各元氣件是否松動，是否齊全。裝配后不良狀況的檢查：1.不加熱：檢查互感器是否斷腳。2.插電后長鳴：檢查溫度開關端子是否接插良好。樓3.無法開機：檢查熱敏電阻端子是否接插良好。4.無小物檢知（不報警）：檢查電阻R301~R307是否正常。R301~R302為68KΩR303~R306為130KΩR307為Ω5.風扇不轉；檢查三極管Q2是否燒壞。（一般燒壞三極管引腳跟部已發(fā)黃；也可用萬用表二極管檔測量）[本帖***由嚴朝基于2009-1-1209:51編輯]贊賞共11人贊賞本站是提供個人知識管理的網絡存儲空間，所有內容均由用戶發(fā)布，不**本站觀點。如發(fā)現(xiàn)有害或侵權內容。河北代理模塊當反向電壓增大到一定數(shù)值時，反向電流急劇加大，進入反向擊穿區(qū)，D點對應的電壓稱為反向擊穿電壓。

    所述***氧化層厚度為1000-1200a。進一步地，所述第二氧化層厚度為3000-5000a。進一步地，兩個所述溝槽柵結構之間設置有***摻雜區(qū)，所述***摻雜區(qū)的摻雜類型與所述半導體襯底的類型相反。進一步地，在所述***摻雜區(qū)的內表面設置兩個第二摻雜區(qū)，所述第二摻雜區(qū)的摻雜類型與***摻雜區(qū)的摻雜類型相反，兩個所述第二摻雜區(qū)分別設置在靠近兩個所述溝槽柵結構的一側，所述***摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)與發(fā)射極金屬接觸。進一步地，所述半導體的底部還設置有緩沖層和集電極，所述集電極設置在比較低層。與現(xiàn)有技術相比，本實用新型的有益效果：本實用新型提供的溝槽柵igbt通過在溝槽內設置兩種厚度氧化層，兩種厚度氧化層分別為***氧化層和第二氧化層，該第二氧化層厚度大于***氧化層厚度，因為結電容與氧化層的厚度成反比，因此增加氧化層的厚度會降低器件的結電容大小，從而解決了現(xiàn)有技術中溝槽柵igbt結電容大的問題，從而提高了本實用新型的開關特性，使得本實用新型可應用于高頻場景。附圖說明圖1為現(xiàn)有技術中平面柵igbt的示意圖；圖2為現(xiàn)有技術中溝槽柵igbt的示意圖；圖3為現(xiàn)有技術中溝槽柵結構制作方法的流程圖；圖4為本實用新型實施例提供的溝槽柵igbt的示意圖。

    原標題：IGBT功率模塊如何選擇？在說IGBT模塊該如何選擇之前，小編先帶著大家了解下什么是IGBT？IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管(InsulatedGateBipolarTransistor)，所以它是一個有MOSGate的BJT晶體管，可以簡單理解為IGBT是MOSFET和BJT的組合體。MOSFET主要是單一載流子(多子)導電，而BJT是兩種載流子導電，所以BJT的驅動電流會比MOSFET大，但是MOSFET的控制級柵極是靠場效應反型來控制的，沒有額外的控制端功率損耗。所以IGBT就是利用了MOSFET和BJT的優(yōu)點組合起來的，兼有MOSFET的柵極電壓控制晶體管(高輸入阻抗)，又利用了BJT的雙載流子達到大電流(低導通壓降)的目的(Voltage-ControlledBipolarDevice)。從而達到驅動功率小、飽和壓降低的完美要求，廣泛應用于600V以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。1.在選擇IGBT前需要確定主電路拓撲結構，這個和IGBT選型密切相關。2.選擇IGBT需要考慮的參數(shù)如下:額定工作電流、過載系數(shù)、散熱條件決定了IGBT模塊的額定電流參數(shù)，額定工作電壓、電壓波動、最大工作電壓決定了IGBT模塊的額定電壓參數(shù)，引線方式、結構也會給IGBT選型提出要求。，目前市面上的叫主流的IGBT產品都是進口的。6.5 kV片式晶閘管系列包括四款強大而可靠的片式器件，專為滿足中壓軟起動器應用的特殊要求而開發(fā)。

    ○觸發(fā)板也可接入直流3V電壓和分流器75mV反饋信號進行直流負載的恒電流和恒電壓控制。（請通過JP1和JP3跳線選擇短接S4和S6進行直流閉環(huán)控制）?！鹩|發(fā)板可跟據(jù)不同要求場合取樣。觸發(fā)板還可以與單片機及相應檢測傳感器組成外閉環(huán)自動控制系統(tǒng)。2．可選擇三種的輸入模式：○4-20mA輸入。通過JP4跳線選擇短接S1。○0-10V輸入。通過JP4跳線選擇短接S2。○0-5V輸入。通過JP4跳線選擇短接S3。3．可外接溫控保護開關和復位開關：（請參考接線圖）。4．軟啟動調節(jié)：觸發(fā)板可通過VR3可調電阻設置調節(jié)軟啟動的時間，順時針方向調節(jié)為啟動時間更長。5．限流限壓保護：觸發(fā)板通過調節(jié)VR2設置限電流和限電壓門檻值，順時針方向調節(jié)為低。（如使用限壓功能請短接JP2跳線，不用此功能時斷開即可）。6．過流過壓保護：觸發(fā)板通過調節(jié)VR1設置過電流和過電壓門檻值，順時針方向調節(jié)為低。五、異常狀態(tài)排除法1、在較小的輸入控制信號時SCR接近100%輸出：○可能觸發(fā)器在閉環(huán)工作模式狀態(tài)下，沒有接入反饋信號，導致觸發(fā)器積分系統(tǒng)誤判，請接入閉環(huán)反饋信號?！鹩|發(fā)器在閉環(huán)工作模式時，負載電流過小。○檢查反饋信號是否接正確。2、SCR無輸出，無電流或電壓：○面板PW指示燈不亮，SCR無法工作。我們的產品組合包括不同的先進IGBT功率模塊產品系列，它們擁有不同的電路結構、芯片配置和電流電壓等級。河北模塊施工

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    圖5為本實用新型實施例提供的溝槽柵結構制作方法的流程圖。圖中：1為多晶硅層，2為氧化層，21為***氧化層，22為第二氧化層，23為**氧化層，3為光刻膠。具體實施方式下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例**是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。圖4示出了本實施例提供的一種溝槽柵igbt示意圖，包括半導體襯底和設置在半導體襯底表面內的兩個溝槽柵結構，兩個溝槽柵結構對稱，溝槽柵結構設置有多晶硅層1和包圍多晶硅層1的氧化層2，氧化層包括***氧化層21和第二氧化層22，***氧化層21設置在溝道區(qū)，第二氧化層22設置在非溝道區(qū)，第二氧化層22的厚度大于***氧化層21的厚度，與現(xiàn)有技術相比，本實施例提供的溝槽柵igbt氧化層2的厚度大于現(xiàn)有技術中的厚度，因此本實施例的結電容更小。需要說明的是，本實施例減小結電容的方式是通過增加溝槽內非溝道區(qū)第二氧化層22的厚度，***氧化層21厚度不變，因此本實施例在減小結電容的同時并不會造成器件整體性能變差。河北模塊歡迎選購

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