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EVG810 LT鍵合機推薦型號

來源: 發(fā)布時間:2021-12-29

EVG?620BA鍵合機選件 自動對準(zhǔn) 紅外對準(zhǔn),用于內(nèi)部基板鍵對準(zhǔn) NanoAlign?包增強加工能力 可與系統(tǒng)機架一起使用 掩模對準(zhǔn)器的升級可能性 技術(shù)數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機架:可選 隔振:被動 對準(zhǔn)方法 背面對準(zhǔn):±2μm3σ 透明對準(zhǔn):±1μm3σ 紅外校準(zhǔn):選件 對準(zhǔn)階段 精密千分尺:手動 可選:電動千分尺 楔形補償:自動 基板/晶圓參數(shù) 尺寸:2英寸,3英寸,100毫米,150毫米 厚度:0.1-10毫米 蕞/高堆疊高度:10毫米 自動對準(zhǔn) 可選的 處理系統(tǒng) 標(biāo)準(zhǔn):3個卡帶站 可選:蕞多5個站我們的服務(wù)包括通過安全的連接,電話或電子郵件,對包括現(xiàn)場驗證,進行實時遠程診斷和設(shè)備/工藝排除故障。EVG810 LT鍵合機推薦型號

SmartView®NT自動鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng),用于通用對準(zhǔn)。

全自動鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng),采用微米級面對面晶圓對準(zhǔn)的專有方法進行通用對準(zhǔn)。

用于通用對準(zhǔn)的SmartViewNT自動鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)提供了微米級面對面晶圓級對準(zhǔn)的專有方法。這種對準(zhǔn)技術(shù)對于在嶺先技術(shù)的多個晶圓堆疊中達到所需的精度至關(guān)重要。SmartView技術(shù)可以與GEMINI晶圓鍵合系統(tǒng)結(jié)合使用,以在隨后的全自動平臺上進行長久鍵合。

特征:

適合于自動化和集成EVG鍵合系統(tǒng)(EVG560®,GEMINI®200和300mm配置)。

用于3D互連,晶圓級封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊。 中國臺灣鍵合機鍵合精度晶圓級涂層、封裝,工程襯底知造,晶圓級3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底,如SOI(絕緣體上硅)。

Abouie M 等人[4]針對金—硅共晶鍵合過程中凹坑對鍵合質(zhì)量的影響展開研究,提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成,但非晶硅的實際應(yīng)用限制較大??蹬d華等人[5]加工了簡單的多層硅—硅結(jié)構(gòu),但不涉及對準(zhǔn)問題,實際應(yīng)用的價值較小。陳穎慧等人[6]以金— 硅共晶鍵合技術(shù)對 MEMS 器件進行了圓片級封裝[6],其鍵合強度可以達到 36 MPa,但鍵合面積以及鍵合密封性不太理想,不適用一些敏感器件的封裝處理。袁星等人[7]對帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅直接鍵合進行了研究,但其硅片不涉及光刻、深刻蝕、清洗等對硅片表面質(zhì)量影響較大的工藝,故其鍵合工藝限制較大。

EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng),可處理從單芯片到150 mm(200 mm鍵合室的情況下為200 mm)的基片。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝,如陽極,玻璃料,焊料,共晶,瞬態(tài)液相和直接鍵合。易于操作的鍵合室和工具設(shè)計,讓用戶能快速,輕松地重新裝配不同的晶圓尺寸和工藝,轉(zhuǎn)換時間小于5分鐘。這種多功能性非常適合大學(xué),研發(fā)機構(gòu)或小批量生產(chǎn)。鍵合室的基本設(shè)計在EVG的HVM(量產(chǎn))工具上是相同的,例如GEMINI,鍵合程序很容易轉(zhuǎn)移,這樣可以輕松擴大生產(chǎn)量。晶圓鍵合機系統(tǒng) EVG?520 IS,擁有EVG?501和EVG?510鍵合機的所有功能;200 mm的單個或雙腔自動化系統(tǒng)。

EVG?820層壓系統(tǒng) 將任何類型的干膠膜(膠帶)自動無應(yīng)力層壓到晶圓上 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG820層壓站用于將任何類型的干膠膜自動,無應(yīng)力地層壓到載體晶片上。這項獨特的層壓技術(shù)可對卷筒上的膠帶進行打孔,然后將其對齊并層壓到晶圓上。該材料通常是雙面膠帶。利用沖壓技術(shù),可以自由選擇膠帶的尺寸和尺寸,并且與基材無關(guān)。 特征 將任何類型的干膠膜自動,無應(yīng)力和無空隙地層壓到載體晶片上 在載體晶片上精確對準(zhǔn)的層壓 保護套剝離 干膜層壓站可被集成到一個EVG?850TB臨時鍵合系統(tǒng) 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑(基板尺寸) 高達300毫米 組態(tài) 1個打孔單元 底側(cè)保護襯套剝離 層壓 選件 頂側(cè)保護膜剝離 光學(xué)對準(zhǔn) 加熱層壓 EVG鍵合機的特征有:壓力高達100 kN、基底高達200mm、溫度高達550°C、真空氣壓低至1·10-6 mbar。中國臺灣鍵合機鍵合精度

EVG鍵合機通過在高真空,精確控制的真空、溫度或高壓條件下鍵合,可以滿足各種苛刻的應(yīng)用。EVG810 LT鍵合機推薦型號

BONDSCALE與EVG的行業(yè)基準(zhǔn)GEMINIFBXT自動熔融系統(tǒng)一起出售,每個平臺針對不同的應(yīng)用。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉(zhuǎn)移處理,但GEMINIFBXT將支持要求更高對準(zhǔn)精度的應(yīng)用,例如存儲器堆疊,3D片上系統(tǒng)(SoC),背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊以及管芯分區(qū)。

特征:

在單個平臺上的200mm和300mm基板上的全自動熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用

通過等離子活化的直接晶圓鍵合,可實現(xiàn)不同材料,高質(zhì)量工程襯底以及薄硅層轉(zhuǎn)移應(yīng)用的異質(zhì)集成

支持邏輯縮放,3D集成(例如M3),3DVLSI(包括背面電源分配),N&P堆棧,內(nèi)存邏輯,集群功能堆棧以及超越CMOS的采用的層轉(zhuǎn)移工藝和工程襯底

BONDSCALE?自動化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)的技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑(基板尺寸):200、300毫米

蕞高數(shù)量或過程模塊8通量

每小時蕞多40個晶圓

處理系統(tǒng)

4個裝載口

特征:

多達八個預(yù)處理模塊,例如清潔模塊,LowTemp?等離子活化模塊,對準(zhǔn)驗證模塊和解鍵合模塊

XT框架概念通過EFEM(設(shè)備前端模塊)實現(xiàn)蕞高吞吐量

光學(xué)邊緣對準(zhǔn)模塊:Xmax/Ymax=18μm3σ EVG810 LT鍵合機推薦型號

岱美儀器技術(shù)服務(wù)(上海)有限公司辦公設(shè)施齊全,辦公環(huán)境優(yōu)越,為員工打造良好的辦公環(huán)境。致力于創(chuàng)造***的產(chǎn)品與服務(wù),以誠信、敬業(yè)、進取為宗旨,以建岱美儀器技術(shù)服務(wù)產(chǎn)品為目標(biāo),努力打造成為同行業(yè)中具有影響力的企業(yè)。公司不僅*提供專業(yè)的磁記錄、半導(dǎo)體、光通訊生產(chǎn)及測試儀器的批發(fā)、進出口、傭金代理(拍賣除外)及其相關(guān)配套服務(wù),國際貿(mào)易、轉(zhuǎn)口貿(mào)易,商務(wù)信息咨詢服務(wù)。 【依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目,經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營活動】磁記錄、半導(dǎo)體、光通訊生產(chǎn)及測試儀器的批發(fā)、進出口、傭金代理(拍賣除外)及其相關(guān)配套服務(wù),國際貿(mào)易、轉(zhuǎn)口貿(mào)易,商務(wù)信息咨詢服務(wù)。 【依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目,經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營活動】,同時還建立了完善的售后服務(wù)體系,為客戶提供良好的產(chǎn)品和服務(wù)。誠實、守信是對企業(yè)的經(jīng)營要求,也是我們做人的基本準(zhǔn)則。公司致力于打造***的磁記錄,半導(dǎo)體,光通訊生產(chǎn),測試儀器的批發(fā)。