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GEMINI ? FB自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng) 集成平臺(tái)可實(shí)現(xiàn)高精度對(duì)準(zhǔn)和熔融 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 半導(dǎo)體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實(shí)現(xiàn)3D堆疊設(shè)備的重要工藝步驟。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系統(tǒng)擴(kuò)展了當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn),并結(jié)合了更高的生產(chǎn)率,更高的對(duì)準(zhǔn)度和覆蓋精度,適用于諸如存儲(chǔ)器堆疊,3D片上系統(tǒng)(SoC),背面照明CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應(yīng)用。該系統(tǒng)具有新的Smart View NT3鍵合對(duì)準(zhǔn)器,該鍵合對(duì)準(zhǔn)器是專(zhuān)門(mén)為<50 nm的熔融和混合晶片鍵合對(duì)準(zhǔn)要求而開(kāi)發(fā)的。EVG鍵合機(jī)軟件,支持多語(yǔ)言,集成錯(cuò)誤記錄/報(bào)告和恢復(fù)和單個(gè)用戶(hù)帳戶(hù)設(shè)置,可以簡(jiǎn)化用戶(hù)常規(guī)操作。CMOS鍵合機(jī)免稅價(jià)格
鍵合機(jī)特征 高真空,對(duì)準(zhǔn),共價(jià)鍵合 在高真空環(huán)境(<5·10-8mbar)中進(jìn)行處理 原位亞微米面對(duì)面對(duì)準(zhǔn)精度 高真空MEMS和光學(xué)器件封裝原位表面和原生氧化物去除 優(yōu)異的表面性能 導(dǎo)電鍵合 室溫過(guò)程 多種材料組合,包括金屬(鋁) 無(wú)應(yīng)力鍵合界面 高鍵合強(qiáng)度 用于HVM和R&D的模塊化系統(tǒng) 多達(dá)六個(gè)模塊的靈活配置 基板尺寸蕞/大為200毫米 完全自動(dòng)化 技術(shù)數(shù)據(jù) 真空度 處理:<7E-8mbar 處理:<5E-8毫巴 集群配置 處理模塊:蕞小3個(gè),蕞/大6個(gè) 加載:手動(dòng),卡帶,EFEM 可選的過(guò)程模塊: 鍵合模塊 ComBond?激/活模塊(CAM) 烘烤模塊 真空對(duì)準(zhǔn)模塊(VAM) 晶圓直徑 高達(dá)200毫米晶圓片鍵合機(jī)研發(fā)生產(chǎn)EVG501鍵合機(jī):桌越的壓力和溫度均勻性、高真空鍵合室、自動(dòng)鍵合和數(shù)據(jù)記錄。
BONDSCALE?自動(dòng)化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)
啟用3D集成以獲得更多收益
特色
技術(shù)數(shù)據(jù)
EVGBONDSCALE?自動(dòng)化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)旨在滿足廣fan的熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用,包括工程化的基板制造和使用層轉(zhuǎn)移處理的3D集成方法,例如單片3D(M3D)。借助BONDSCALE,EVG將晶片鍵合應(yīng)用于前端半導(dǎo)體處理中,并幫助解決內(nèi)部設(shè)備和系統(tǒng)路線圖(IRDS)中確定的“超摩爾”邏輯器件擴(kuò)展的長(zhǎng)期挑戰(zhàn)。結(jié)合增強(qiáng)的邊緣對(duì)準(zhǔn)技術(shù),與現(xiàn)有的熔融鍵合平臺(tái)相比,BONDSCALE大da提高了晶圓鍵合生產(chǎn)率,并降低了擁有成本(CoO)。
晶圓級(jí)封裝是指在將要制造集成電路的晶圓分離成單獨(dú)的電路之前,通過(guò)在每個(gè)電路周?chē)┘臃庋b來(lái)制造集成電路。由于在部件尺寸以及生產(chǎn)時(shí)間和成本方面的優(yōu)勢(shì),該技術(shù)在集成電路行業(yè)中迅速流行起來(lái)。以此方式制造的組件被認(rèn)為是芯片級(jí)封裝的一種。這意味著其尺寸幾乎與內(nèi)部電子電路所位于的裸片的尺寸相同。
集成電路的常規(guī)制造通常開(kāi)始于將在其上制造電路的硅晶片的生產(chǎn)。通常將純硅錠切成薄片,稱(chēng)為晶圓,這是建立微電子電路的基礎(chǔ)。這些電路通過(guò)稱(chēng)為晶圓切割的工藝來(lái)分離。分離后,將它們封裝成單獨(dú)的組件,然后將焊料引線施加到封裝上。 EVG的鍵合機(jī)設(shè)備占據(jù)了半自動(dòng)和全自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)的主要市場(chǎng)份額,并且安裝的機(jī)臺(tái)已經(jīng)超過(guò)1500套。
EVG?510鍵合機(jī)特征 獨(dú)特的壓力和溫度均勻性 兼容EVG機(jī)械和光學(xué)對(duì)準(zhǔn)器 靈活的設(shè)計(jì)和配置,用于研究和試生產(chǎn) 將單芯片形成晶圓 各種工藝(共晶,焊料,TLP,直接鍵合) 可選的渦輪泵(<1E-5mbar) 可升級(jí)用于陽(yáng)極鍵合 開(kāi)室設(shè)計(jì),易于轉(zhuǎn)換和維護(hù) 生產(chǎn)兼容 高通量,具有快速加熱和泵送規(guī)格 通過(guò)自動(dòng)楔形補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量 開(kāi)室設(shè)計(jì),可快速轉(zhuǎn)換和維護(hù) 200mm鍵合系統(tǒng)的蕞小占地面積:0.8m2 程序與EVG的大批量生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)完全兼容 技術(shù)數(shù)據(jù) 蕞/大接觸力 10、20、60kN 加熱器尺寸150毫米200毫米 蕞小基板尺寸單芯片100毫米 真空 標(biāo)準(zhǔn):0.1毫巴 可選:1E-5mbar晶圓鍵合機(jī)(系統(tǒng))EVG?510 ,擁有150、200mm晶圓單腔系統(tǒng) ;擁有EVG?501 鍵合機(jī)所有功能。EVG850 DB鍵合機(jī)推薦產(chǎn)品
EVG鍵合機(jī)通過(guò)在高真空,精確控制的真空、溫度或高壓條件下鍵合,可以滿足各種苛刻的應(yīng)用。CMOS鍵合機(jī)免稅價(jià)格
陽(yáng)極鍵合是晶片鍵合的一種方法,廣 泛用于微電子工業(yè)中,利用熱量和靜電場(chǎng)的結(jié)合將兩個(gè)表面密封在一起。這種鍵合技術(shù)蕞常用于將玻璃層密封到硅晶圓上。也稱(chēng)為場(chǎng)輔助鍵合或靜電密封,它類(lèi)似于直接鍵合,與大多數(shù)其他鍵合技術(shù)不同,它通常不需要中間層,但不同之處在于,它依賴(lài)于當(dāng)離子運(yùn)動(dòng)時(shí)表面之間的靜電吸引對(duì)組件施加高電壓。
可以使用陽(yáng)極鍵合將金屬鍵合到玻璃上,并使用玻璃的薄中間層將硅鍵合到硅上。但是,它特別適用于硅玻璃粘接。玻璃需要具有高含量的堿金屬(例如鈉),以提供可移動(dòng)的正離子。通常使用一種特定類(lèi)型的玻璃,其中包含約3.5%的氧化鈉(Na 2 O)。 CMOS鍵合機(jī)免稅價(jià)格
岱美儀器技術(shù)服務(wù)(上海)有限公司辦公設(shè)施齊全,辦公環(huán)境優(yōu)越,為員工打造良好的辦公環(huán)境。在岱美儀器技術(shù)服務(wù)近多年發(fā)展歷史,公司旗下現(xiàn)有品牌岱美儀器技術(shù)服務(wù)等。公司不僅僅提供專(zhuān)業(yè)的磁記錄、半導(dǎo)體、光通訊生產(chǎn)及測(cè)試儀器的批發(fā)、進(jìn)出口、傭金代理(拍賣(mài)除外)及其相關(guān)配套服務(wù),國(guó)際貿(mào)易、轉(zhuǎn)口貿(mào)易,商務(wù)信息咨詢(xún)服務(wù)。 【依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目,經(jīng)相關(guān)部門(mén)批準(zhǔn)后方可開(kāi)展經(jīng)營(yíng)活動(dòng)】磁記錄、半導(dǎo)體、光通訊生產(chǎn)及測(cè)試儀器的批發(fā)、進(jìn)出口、傭金代理(拍賣(mài)除外)及其相關(guān)配套服務(wù),國(guó)際貿(mào)易、轉(zhuǎn)口貿(mào)易,商務(wù)信息咨詢(xún)服務(wù)。 【依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目,經(jīng)相關(guān)部門(mén)批準(zhǔn)后方可開(kāi)展經(jīng)營(yíng)活動(dòng)】,同時(shí)還建立了完善的售后服務(wù)體系,為客戶(hù)提供良好的產(chǎn)品和服務(wù)。自公司成立以來(lái),一直秉承“以質(zhì)量求生存,以信譽(yù)求發(fā)展”的經(jīng)營(yíng)理念,始終堅(jiān)持以客戶(hù)的需求和滿意為重點(diǎn),為客戶(hù)提供良好的磁記錄,半導(dǎo)體,光通訊生產(chǎn),測(cè)試儀器的批發(fā),從而使公司不斷發(fā)展壯大。