EVG®850TB臨時鍵合機特征:
開放式膠粘劑平臺;
各種載體(硅,玻璃,藍寶石等);
適用于不同基板尺寸的橋接工具功能;
提供多種裝載端口選項和組合;
程序控制系統(tǒng);
實時監(jiān)控和記錄所有相關(guān)過程參數(shù);
完全集成的SECS/GEM接口;
可選的集成在線計量模塊,用于自動反饋回路;
技術(shù)數(shù)據(jù):
晶圓直徑(基板尺寸):蕞長300毫米,可能有超大的托架
不同的基材/載體組合
組態(tài)
外套模塊
帶有多個熱板的烘烤模塊
通過光學(xué)或機械對準(zhǔn)來對準(zhǔn)模塊
鍵合模塊:
選件
在線計量
ID閱讀
高形貌的晶圓處理
翹曲的晶圓處理 鍵合機晶圓對準(zhǔn)鍵合是晶圓級涂層,晶圓級封裝,工程襯底智造,晶圓級3D集成和晶圓減薄等應(yīng)用很實用的技術(shù)。EVG540鍵合機技術(shù)支持
ComBond自動化的高真空晶圓鍵合系統(tǒng),高真空晶圓鍵合平臺促進“任何物上的任何東西”的共價鍵合特色技術(shù)數(shù)據(jù),EVGComBond高真空晶圓鍵合平臺標(biāo)志著EVG獨特的晶圓鍵合設(shè)備和技術(shù)產(chǎn)品組合中的一個新里程碑,可滿足市場對更復(fù)雜的集成工藝的需求ComBond支持的應(yīng)用領(lǐng)域包括先進的工程襯底,堆疊的太陽能電池和功率器件到**MEMS封裝,高性能邏輯和“beyondCMOS”器件ComBond系統(tǒng)的模塊化集群設(shè)計提供了高度靈活的平臺,可以針對研發(fā)和高通量,大批量制造環(huán)境中的各種苛刻的客戶需求量身定制ComBond促進了具有不同晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)(CTE)的異質(zhì)材料的鍵合,并通過其獨特的氧化物去除工藝促進了導(dǎo)電鍵界面的形成ComBond高真空技術(shù)還可以實現(xiàn)鋁等金屬的低溫鍵合,這些金屬在周圍環(huán)境中會迅速重新氧化。對于所有材料組合,都可以實現(xiàn)無空隙和無顆粒的鍵合界面以及出色的鍵合強度。美元價鍵合機原理EVG的GEMINI系列是頂及大批量生產(chǎn)系統(tǒng),同時結(jié)合了自動光學(xué)對準(zhǔn)和鍵合操作功能。
晶圓級封裝是指在將要制造集成電路的晶圓分離成單獨的電路之前,通過在每個電路周圍施加封裝來制造集成電路。由于在部件尺寸以及生產(chǎn)時間和成本方面的優(yōu)勢,該技術(shù)在集成電路行業(yè)中迅速流行起來。以此方式制造的組件被認(rèn)為是芯片級封裝的一種。這意味著其尺寸幾乎與內(nèi)部電子電路所位于的裸片的尺寸相同。
集成電路的常規(guī)制造通常開始于將在其上制造電路的硅晶片的生產(chǎn)。通常將純硅錠切成薄片,稱為晶圓,這是建立微電子電路的基礎(chǔ)。這些電路通過稱為晶圓切割的工藝來分離。分離后,將它們封裝成單獨的組件,然后將焊料引線施加到封裝上。
Abouie M 等人[4]針對金—硅共晶鍵合過程中凹坑對鍵合質(zhì)量的影響展開研究,提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成,但非晶硅的實際應(yīng)用限制較大??蹬d華等人[5]加工了簡單的多層硅—硅結(jié)構(gòu),但不涉及對準(zhǔn)問題,實際應(yīng)用的價值較小。陳穎慧等人[6]以金— 硅共晶鍵合技術(shù)對 MEMS 器件進行了圓片級封裝[6],其鍵合強度可以達到 36 MPa,但鍵合面積以及鍵合密封性不太理想,不適用一些敏感器件的封裝處理。袁星等人[7]對帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅直接鍵合進行了研究,但其硅片不涉及光刻、深刻蝕、清洗等對硅片表面質(zhì)量影響較大的工藝,故其鍵合工藝限制較大。清潔模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB,使用去離子水和溫和的化學(xué)清潔劑去除顆粒。
EVG的晶圓鍵合機鍵合室配有通用鍵合蓋,可快速排空,快速加熱和冷卻。通過控制溫度,壓力,時間和氣體,允許進行大多數(shù)鍵合過程。也可以通過添加電源來執(zhí)行陽極鍵合。對于UV固化黏合劑,可選的鍵合室蓋具有UV源。鍵合可在真空或受控氣體條件下進行。頂部和底部晶片的**溫度控制補償了不同的熱膨脹系數(shù),從而實現(xiàn)無應(yīng)力黏合和出色的溫度均勻性。在不需要重新配置硬件的情況下,可以在真空下執(zhí)行SOI / SDB(硅的直接鍵合)預(yù)鍵合。
以上的鍵合機由岱美儀器供應(yīng)并提供技術(shù)支持。 對于無夾層鍵合工藝,材料和表面特征利于鍵合,但為了與夾層結(jié)合,鍵合材料沉積和組成決定了鍵合線的材質(zhì)。美元價鍵合機原理
EVG的 GEMINI系列,在醉小占地面積上,一樣利用EVG 醉高精度的Smart View NT對準(zhǔn)技術(shù)。EVG540鍵合機技術(shù)支持
EVG®850LT
特征
利用EVG的LowTemp?等離子基活技術(shù)進行SOI和直接晶圓鍵合
適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用
生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量,高產(chǎn)量環(huán)境中運行
盒到盒的自動操作(錯誤加載,SMIF或FOUP)
無污染的背面處理
超音速和/或刷子清潔
機械平整或缺口對準(zhǔn)的預(yù)鍵合
先進的遠程診斷
技術(shù)數(shù)據(jù):
晶圓直徑(基板尺寸)
100-200、150-300毫米
全自動盒帶到盒帶操作
預(yù)鍵合室
對準(zhǔn)類型:平面到平面或凹口到凹口
對準(zhǔn)精度:X和Y:±50μm,θ:±0.1°
結(jié)合力:蕞高5N
鍵合波起始位置:從晶圓邊緣到中心靈活
真空系統(tǒng):9x10-2mbar(標(biāo)準(zhǔn))和9x10-3mbar(渦輪泵選件) EVG540鍵合機技術(shù)支持
岱美儀器技術(shù)服務(wù)(上海)有限公司致力于儀器儀表,以科技創(chuàng)新實現(xiàn)***管理的追求。公司自創(chuàng)立以來,投身于磁記錄,半導(dǎo)體,光通訊生產(chǎn),測試儀器的批發(fā),是儀器儀表的主力軍。岱美儀器技術(shù)服務(wù)繼續(xù)堅定不移地走高質(zhì)量發(fā)展道路,既要實現(xiàn)基本面穩(wěn)定增長,又要聚焦關(guān)鍵領(lǐng)域,實現(xiàn)轉(zhuǎn)型再突破。岱美儀器技術(shù)服務(wù)始終關(guān)注儀器儀表行業(yè)。滿足市場需求,提高產(chǎn)品價值,是我們前行的力量。