該技術(shù)用于封裝敏感的電子組件,以保護(hù)它們免受損壞,污染,濕氣和氧化或其他不良化學(xué)反應(yīng)。陽(yáng)極鍵合尤其與微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)行業(yè)相關(guān)聯(lián),在該行業(yè)中,陽(yáng)極鍵合用于保護(hù)諸如微傳感器的設(shè)備。陽(yáng)極鍵合的主要優(yōu)點(diǎn)是,它可以產(chǎn)生牢固而持久的鍵合,而無(wú)需粘合劑或過(guò)高的溫度,而這是將組件融合在一起所需要的。陽(yáng)極鍵合的主要缺點(diǎn)是可以鍵合的材料范圍有限,并且材料組合還存在其他限制,因?yàn)樗鼈冃枰哂蓄愃频臒崤蛎浡氏禂?shù)-也就是說(shuō),它們?cè)诩訜釙r(shí)需要以相似的速率膨脹,否則差異膨脹可能會(huì)導(dǎo)致應(yīng)變和翹曲。
而EVG的鍵合機(jī)所提供的技術(shù)能夠比較有效地解決陽(yáng)極鍵合的問(wèn)題,如果需要了解,請(qǐng)點(diǎn)擊:鍵合機(jī)。 EVG的鍵合機(jī)設(shè)備占據(jù)了半自動(dòng)和全自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)的主要市場(chǎng)份額,并且安裝的機(jī)臺(tái)已經(jīng)超過(guò)1500套。美元價(jià)鍵合機(jī)有哪些品牌
Abouie M 等人[4]針對(duì)金—硅共晶鍵合過(guò)程中凹坑對(duì)鍵合質(zhì)量的影響展開(kāi)研究,提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成,但非晶硅的實(shí)際應(yīng)用限制較大??蹬d華等人[5]加工了簡(jiǎn)單的多層硅—硅結(jié)構(gòu),但不涉及對(duì)準(zhǔn)問(wèn)題,實(shí)際應(yīng)用的價(jià)值較小。陳穎慧等人[6]以金— 硅共晶鍵合技術(shù)對(duì) MEMS 器件進(jìn)行了圓片級(jí)封裝[6],其鍵合強(qiáng)度可以達(dá)到 36 MPa,但鍵合面積以及鍵合密封性不太理想,不適用一些敏感器件的封裝處理。袁星等人[7]對(duì)帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅直接鍵合進(jìn)行了研究,但其硅片不涉及光刻、深刻蝕、清洗等對(duì)硅片表面質(zhì)量影響較大的工藝,故其鍵合工藝限制較大。美元價(jià)格鍵合機(jī)用于生物芯片EVG 晶圓鍵合機(jī)上的鍵合過(guò)程是怎么樣的呢?
EVG320技術(shù)數(shù)據(jù)
晶圓直徑(基板尺寸)
200、100-300毫米
清潔系統(tǒng)
開(kāi)室,旋轉(zhuǎn)器和清潔臂
腔室:由PP或PFA制成(可選)
清潔介質(zhì):去離子水(標(biāo)準(zhǔn)),其他清潔介質(zhì)(可選)
旋轉(zhuǎn)卡盤(pán):真空卡盤(pán)(標(biāo)準(zhǔn))和邊緣處理卡盤(pán)(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成
旋轉(zhuǎn):蕞高3000rpm(5秒內(nèi))
超音速噴嘴
頻率:1MHz(3MHz選件)
輸出功率:30-60W
去離子水流量:蕞高1.5升/分鐘
有效清潔區(qū)域:?4.0mm
材質(zhì):聚四氟乙烯
兆聲區(qū)域傳感器
可選的
頻率:1MHz(3MHz選件)
輸出功率:蕞大2.5W/cm2有效面積(蕞大輸出200W)
去離子水流量:蕞高1.5升/分鐘
有效的清潔區(qū)域:三角形,確保每次旋轉(zhuǎn)時(shí)整個(gè)晶片的輻射均勻性
材質(zhì):不銹鋼和藍(lán)寶石
刷的參數(shù):
材質(zhì):PVA
可編程參數(shù):刷子和晶圓速度(rpm)
可調(diào)參數(shù)(刷壓縮,介質(zhì)分配)
自動(dòng)化晶圓處理系統(tǒng)
掃描區(qū)域兼容晶圓處理機(jī)器人領(lǐng)域EVG320,使24小時(shí)自動(dòng)化盒對(duì)盒或FOUP到FOUP操作,達(dá)到蕞高吞吐量。與晶圓接觸的表面不會(huì)引起任何金屬離子污染。
可選功能:ISO3mini-environment(根據(jù)ISO14644)
Plessey工程副總裁John Whiteman解釋說(shuō):“ GEMINI系統(tǒng)的模塊化設(shè)計(jì)非常適合我們的需求。在一個(gè)系統(tǒng)中啟用預(yù)處理,清潔,對(duì)齊(對(duì)準(zhǔn))和鍵合,這意味著擁有更高的產(chǎn)量和生產(chǎn)量。EVG提供的質(zhì)量服務(wù)對(duì)于快 速有 效地使系統(tǒng)聯(lián)機(jī)至關(guān)重要?!?
EVG的執(zhí)行技術(shù)總監(jiān)Paul Lindner表示:“我們很榮幸Plessey選擇了我們蕞先進(jìn)的GEMINI系統(tǒng)來(lái)支持其雄心勃勃的技術(shù)開(kāi)發(fā)路線圖和大批量生產(chǎn)計(jì)劃?!?
該公告標(biāo)志著Plessey在生產(chǎn)級(jí)設(shè)備投 資上的另一個(gè)重要里程碑,該設(shè)備將GaN-on-Si硅基氮化鎵單片microLED產(chǎn)品推向市場(chǎng)。 EVG的GEMINI FB XT集成熔融鍵合系統(tǒng),擴(kuò)展了現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn),并擁有更高的生產(chǎn)率,更高的對(duì)準(zhǔn)和涂敷精度。
EVG?501晶圓鍵合機(jī)(系統(tǒng)) ■研發(fā)和試生產(chǎn)的蕞/低 購(gòu)置成本 ■真正的低強(qiáng)度晶圓楔形補(bǔ)償系統(tǒng),可實(shí)現(xiàn)蕞/高產(chǎn)量 ■強(qiáng)勁的壓力和溫度均勻性 ■自動(dòng)鍵合和數(shù)據(jù)記錄 ■高真空鍵合室 (使用真空渦輪增壓泵,低至10-5mbar) ■開(kāi)放式腔室設(shè)計(jì),可實(shí)現(xiàn)快速轉(zhuǎn)換和維護(hù) ■Windows?操作軟件和控制界面 ■蕞小占地面積的200mm鍵合系統(tǒng),只有0.88m2 EVG?510晶圓鍵合機(jī)(系統(tǒng)) ■擁有EVG?501鍵合機(jī)的所有功能 ■150和200mm晶圓的單腔系統(tǒng) ■研發(fā)和試生產(chǎn)的蕞/佳購(gòu)置成本 ■強(qiáng)勁的壓力和溫度均勻性 ■通過(guò)楔形補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量 ■兼容EVG的HVM鍵合系統(tǒng) ■高產(chǎn)量,加速加熱和優(yōu)異的泵送能力EVG鍵合機(jī)晶圓鍵合類型有:陽(yáng)極鍵合、瞬間液相鍵合、共熔鍵合、黏合劑鍵合、熱壓鍵合。河北EV Group鍵合機(jī)
EVG鍵合機(jī)通過(guò)控制溫度,壓力,時(shí)間和氣體,允許進(jìn)行大多數(shù)鍵合過(guò)程。美元價(jià)鍵合機(jī)有哪些品牌
業(yè)內(nèi)主流鍵合工藝為:黏合劑,陽(yáng)極,直接/熔融,玻璃料,焊料(包括共晶和瞬態(tài)液相)和金屬擴(kuò)散/熱壓縮。采用哪種黏合工藝取決于應(yīng)用。EVG500系列可靈活配置選擇以上的所有工藝。
奧地利的EVG擁有超過(guò)25年的晶圓鍵合機(jī)制造經(jīng)驗(yàn),擁有2000多擁有多年晶圓鍵合經(jīng)驗(yàn)的員工,同時(shí),GEMINI是使用晶圓鍵合的HVM的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
根據(jù)型號(hào)和加熱器尺寸,EVG500系列可以用于碎片和50 mm至300 mm的晶圓。這些工具的靈活性非常適合中等批量生產(chǎn)、研發(fā),并且可以通過(guò)簡(jiǎn)單的方法進(jìn)行大批量生產(chǎn),因?yàn)殒I合程序可以轉(zhuǎn)移到EVG GEMINI大批量生產(chǎn)系統(tǒng)中。 美元價(jià)鍵合機(jī)有哪些品牌
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