EVG鍵合機加工結(jié)果 除支持晶圓級和先進封裝，3D互連和MEMS制造外，EVG500系列晶圓鍵合機（系統(tǒng)）還可用于研發(fā)，中試或批量生產(chǎn)。它們通過在高真空，精確控制的準確的真空，溫度或高壓條件下鍵合來滿足各種苛刻的應(yīng)用。該系列擁有多種鍵合方法，包括陽極，熱壓縮，玻璃料，環(huán)氧樹脂，UV和熔融鍵合。EVG500系列基于獨特的模塊化鍵合室設(shè)計，可實現(xiàn)從研發(fā)到大批量生產(chǎn)的簡單技術(shù)轉(zhuǎn)換。 模塊設(shè)計 各種鍵合對準（對位）系統(tǒng)配置為各種MEMS和IC應(yīng)用提供了多種優(yōu)勢。使用直接（實時）或間接對準方法可以支持大量不同的對準技術(shù)。EVG鍵合機的鍵合室配有通用鍵合蓋，可快速排空，快速加熱和冷卻。高校鍵合機用途
真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標準）和9x10-3mbar（渦輪泵選件） 清潔站 清潔方式：沖洗（標準），超音速噴嘴，超音速面積傳感器，噴嘴，刷子（可選） 腔室：由PP或PFA制成（可選） 清潔介質(zhì)：去離子水（標準），NH4OH和H2O2（蕞/大）。2％濃度（可選） 旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標準）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉(zhuǎn)：蕞/高3000rpm（5s） 清潔臂：蕞多5條介質(zhì)線（1個超音速系統(tǒng)使用2條線） 可選功能 ISO3mini-environment（根據(jù)ISO14644） LowTemp?等離子活化室 紅外檢查站 以上資料由岱美儀器提供并做技術(shù)支持 中國臺灣EVG850 TB鍵合機晶圓鍵合機系統(tǒng) EVG?520 IS，擁有EVG?501和EVG?510鍵合機的所有功能；200 mm的單個或雙腔自動化系統(tǒng)。
Abouie M 等人［4］針對金—硅共晶鍵合過程中凹坑對鍵合質(zhì)量的影響展開研究，提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成，但非晶硅的實際應(yīng)用限制較大?？蹬d華等人［5］加工了簡單的多層硅—硅結(jié)構(gòu)，但不涉及對準問題，實際應(yīng)用的價值較小。陳穎慧等人［6］以金— 硅共晶鍵合技術(shù)對 MEMS 器件進行了圓片級封裝［6］，其鍵合強度可以達到 36 MPa，但鍵合面積以及鍵合密封性不太理想，不適用一些敏感器件的封裝處理。袁星等人［7]對帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅直接鍵合進行了研究，但其硅片不涉及光刻、深刻蝕、清洗等對硅片表面質(zhì)量影響較大的工藝，故其鍵合工藝限制較大。
陽極鍵合是晶片鍵合的一種方法，***用于微電子工業(yè)中，利用熱量和靜電場的結(jié)合將兩個表面密封在一起。這種鍵合技術(shù)蕞常用于將玻璃層密封到硅晶圓上。也稱為場輔助鍵合或靜電密封，它類似于直接鍵合，與大多數(shù)其他鍵合技術(shù)不同，它通常不需要中間層，但不同之處在于，它依賴于當(dāng)離子運動時表面之間的靜電吸引對組件施加高電壓。
可以使用陽極鍵合將金屬鍵合到玻璃上，并使用玻璃的薄中間層將硅鍵合到硅上。但是，它特別適用于硅玻璃粘接。玻璃需要具有高含量的堿金屬（例如鈉），以提供可移動的正離子。通常使用一種特定類型的玻璃，其中包含約3.5％的氧化鈉（Na 2 O）。 除了支持3D互連和MEMS制造，晶圓級和先進封裝外，EVG的EVG500系晶圓鍵合機還可用于研發(fā)，中試和批量生產(chǎn)。
在鍵合過程中，將兩個組件的表面弄平并徹底清潔以確保它們之間的緊密接觸。然后它們被夾在兩個電極之間，加熱至752-932℃（華氏400-500攝氏度），和幾百到千伏的電勢被施加，使得負電極，這就是所謂的陰極，是在接觸在玻璃中，正極（陽極）與硅接觸。玻璃中帶正電的鈉離子變得可移動并向陰極移動，在與硅片的邊界附近留下少量的正電荷，然后通過靜電吸引將其保持在適當(dāng)?shù)奈恢?。帶負電的氧氣來自玻璃的離子向陽極遷移，并在到達邊界時與硅反應(yīng)，形成二氧化硅（SiO 2）。產(chǎn)生的化學(xué)鍵將兩個組件密封在一起。EVG的各種鍵合對準（對位）系統(tǒng)配置為各種MEMS和IC研發(fā)生產(chǎn)應(yīng)用提供了多種優(yōu)勢。紅外鍵合機供應(yīng)商家
EVG500系列鍵合機是基于獨特模塊化鍵合室設(shè)計，能夠?qū)崿F(xiàn)從研發(fā)到大批量生產(chǎn)的簡單技術(shù)轉(zhuǎn)換。高校鍵合機用途
針對表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝展開研究，以采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合為對象，提出一種表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合工藝，以親水濕法表面活化處理降低硅片表面雜質(zhì)含量，以微裝配平臺與鍵合機控制鍵合環(huán)境及溫度來保證鍵合精度與鍵合強度，使用恒溫爐進行低溫退火，解決鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高，環(huán)境要求苛刻的問題。高低溫循環(huán)測試試驗與既定拉力破壞性試驗結(jié)果表明: 提出的工藝在保證了封裝組件封裝強度的同時，具有工藝溫度低、容易實現(xiàn)圖形化、應(yīng)力匹配度高等優(yōu)點。高校鍵合機用途
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