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中芯國際光刻機技術原理

來源: 發(fā)布時間:2021-02-18

EVG的掩模對準系統(tǒng)含有:EVG610;EVG620 NT半自動/全自動掩模對準系統(tǒng);EVG6200 NT半自動/全自動掩模對準系統(tǒng);IQ Aligner 自動掩模對準系統(tǒng);IQ Aligner NT自動掩模對準系統(tǒng);


【EVG ® 610掩模對準系統(tǒng)】EVG

® 610是一個緊湊的和多用途R&d系統(tǒng),可以處理小基板片和高達200毫米的晶片。

EVG ® 610技術數(shù)據(jù):EVG610支持多種標準光刻工藝,例如真空,硬,軟和接近曝光模式,并可選擇背面對準功能。此外,該系統(tǒng)還提供其他功能,包括鍵合對準和納米壓印光刻(NIL)。EVG610提供快速的處理和重新安裝工具,可滿足用戶需求的變化,轉(zhuǎn)換時間不到幾分鐘。其先進的多用戶概念可以適應從初學者到**級別的所有需求,因此使其非常適合大學和研發(fā)應用。 可在眾多應用場景中找到EVG的設備應用,包括高級封裝,化合物半導體,功率器件,LED,傳感器和MEMS。中芯國際光刻機技術原理

EVG ® 610特征:

晶圓/基板尺寸從小到200 mm /8''

頂側(cè)和底側(cè)對準能力

高精度對準臺

自動楔形補償序列

電動和程序控制的曝光間隙

支持**/新的UV-LED技術

**小化系統(tǒng)占地面積和設施要求

分步流程指導

遠程技術支持

多用戶概念(無限數(shù)量的用戶帳戶和程序,可分配的訪問權(quán)限,不同的用戶界面語言)

便捷處理和轉(zhuǎn)換重組

臺式或帶防震花崗巖臺的單機版


EVG ® 610附加功能:

鍵對準

紅外對準

納米壓印光刻(NIL)


EVG ® 610技術數(shù)據(jù):

對準方式

上側(cè)對準:≤±0.5 μm

底面要求:≤±2,0 μm

紅外校準:≤±2,0 μm /具體取決于基板材料

鍵對準:≤±2,0 μm

NIL對準:≤±2,0 μm 廣東光刻機可以試用嗎EVG100光刻膠處理系統(tǒng)可以處理多種尺寸的基板,直徑從2寸到300 mm。

光刻機處理結(jié)果:EVG在光刻技術方面的核心競爭力在于其掩模對準系統(tǒng)(EVG6xx和IQ Aligner系列)以及高度集成的涂層平臺(EVG1xx系列)的高吞吐量的接近和接觸曝光能力。EVG的所有光刻設備平臺均為300mm,可完全集成到HERCULES光刻軌道系統(tǒng)中,并輔以其用于從上到下側(cè)對準驗證的計量工具。高級封裝:在EVG®IQAligner®上結(jié)合NanoSpray?曝光的涂層TSV底部開口 ;在EVG的IQ

Aligner NT®上進行撞擊40μm厚抗蝕劑;負側(cè)壁,帶有金屬兼容的剝離抗蝕劑涂層; 金屬墊在結(jié)構(gòu)的中間;用于LIGA結(jié)構(gòu)的高縱橫比結(jié)構(gòu),用EVG® IQ Aligner®曝光200μm厚的抗蝕劑的結(jié)果;西門子星狀測試圖暴露在EVG®6200NT上,展示了高/分辨率的厚抗蝕劑圖形處理能力;MEMS結(jié)構(gòu)在20μm厚的抗蝕劑圖形化的結(jié)果。

EVG ® 610曝光源:

汞光源/紫外線LED光源

楔形補償

全自動軟件控制

晶圓直徑(基板尺寸)

高達100/150/200毫米


曝光設定:

真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式

曝光選項:

間隔曝光/洪水曝光/扇區(qū)曝光

先進的對準功能:

手動對準/原位對準驗證

手動交叉校正

大間隙對準


EVG ® 610光刻機系統(tǒng)控制:

操作系統(tǒng):Windows

文件共享和備份解決方案/無限制程序和參數(shù)

多語言用戶GUI和支持:CN,DE,F(xiàn)R,IT,JP,KR

實時遠程訪問,診斷和故障排除

使用的納米壓印光刻技術為“無紫外線” EVG光刻機設備,可完全集成到HERCULES光刻軌道系統(tǒng)中,并輔以其用于從上到下側(cè)對準驗證的計量工具。

EVG鍵合機掩模對準系列產(chǎn)品,使用**/先進的工程技術。

用戶對接近式對準器的主要需求由幾個關鍵參數(shù)決定。亞微米對準精度,掩模和晶片之間受控的均勻接近間隙,以及對應于抗蝕劑靈敏度的已經(jīng)明確定義且易于控制的曝光光譜是**重要的標準。此外,整個晶圓表面的高光強度和均勻性是設計和不斷增強EVG掩模對準器產(chǎn)品組合時需要考慮的其他關鍵參數(shù)。創(chuàng)新推動了我們的日常業(yè)務的發(fā)展和提升我們的理念,使我們能夠跳出思維框架,創(chuàng)造更先進的系統(tǒng)。 HERCULES 全電動頂部和底部分離場顯微鏡支持實時、大間隙、晶圓平面或紅外對準,在可編程位置自動定位。陜西晶片光刻機

整個晶圓表面高光強度和均勻性是設計和不斷提高EVG掩模對準器產(chǎn)品組合時需要考慮的其他關鍵參數(shù)。中芯國際光刻機技術原理

EVG ® 105—晶圓烘烤模塊

設計理念:單機EVG ® 105烘烤模塊是專為軟或后曝光烘烤過程而設計。

特點:可以在EVG105烘烤模塊上執(zhí)行軟烘烤,曝光后烘烤和硬烘烤過程。受控的烘烤環(huán)境可確保均勻蒸發(fā)??删幊痰慕咏N可提供對光刻膠硬化過程和溫度曲線的**/佳控制。EVG105烘烤模塊可以同時處理300 mm的晶圓尺寸或4個100 mm的晶圓。


特征

**烘烤模塊

晶片尺寸**/大為300毫米,或同時**多四個100毫米晶片

溫度均勻性≤±1°C @ 100°C,**/高250°C烘烤溫度

用于手動和安全地裝載/卸載晶片的裝載銷

烘烤定時器

基材真空(直接接觸烘烤)

N 2吹掃和近程烘烤0-1 mm距離晶片至加熱板可選

不規(guī)則形狀的基材


技術數(shù)據(jù)

晶圓直徑(基板尺寸):高達300毫米

烤盤:

溫度范圍:≤250°C


手動將升降桿調(diào)整到所需的接近間隙


中芯國際光刻機技術原理

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